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高频二极管选型主要看哪些参数
高频二极管是用于非线性变换电路中的二极管，在开关、检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中应用比较广泛。 由电阻值高的I型半导体制成，其特点是引脚间电容(CT)非常小。正向电压条件下,具有可变电阻特性，反向电压条件下,具有电容器特性。利用其高频特性（引脚间电容小，因此对通信线没有影响），作为高频信号开关（带天线的移动设备），衰减器，AGC电路用可变电阻元件使用。
2026-06-15 13
SBD肖特基势垒二极管
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向
2026-06-15 13
肖特基二极管都有哪些有点和不足？
肖特基二极管是一种热载流子二极管，在低压、大电流输出场合用作高频整流，IC及TTL集成电路中也有广泛应用。肖特基二极管（SBD）表现出来的优势还是比较突出的，自然它也有它的不足之处。 萨科微Slkor肖特基二极管SS54 优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，Max仅约100V，以致于限制了其应用范围。
2026-06-15 11
萨科微肖特基势垒二极管基本结构
萨科微Slkor肖特基二极管在风力发电、电源设备、充电桩等多个领域都有着广泛应用，由于肖特基二极管的结构特点，在这些领域都能起到不错的作用，接下来我们一起了解一下肖特基二极管的结构是怎样的。 肖特基势垒二极管利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，由于金属-半导体接触的电流运输主要是依靠多数载流子(电子)，其电子迁移率高，且M-S结可以在亚微米尺度上精确制造加工，使得肖特基势垒二
2026-06-15 12
肖特基势垒二极管的等效电路和伏安特性
不同材料和结构的肖特基势垒二极管电路形式一样，元件的具体参数不同。接下来我们来了解一下肖特基二极管的等效电路和伏安特性。 肖特基势垒二极管的等效电路如图所示，图中虚线框部分表示管芯，其余为封装寄生元件。关键元件的名称和意义如下： （1）为二极管的非线性结电阻，是阻性二极管的核心等效元件。随外加偏压而变化，正向时约为几欧姆，反向时可达兆欧量级。 （2）为二极管的
2026-06-15 12
肖特基势垒二极管相关的物理机制可根据哪些特性参量考量
肖特基势垒二极管相关的物理机制可根据哪些特性参量考量，肖特基势垒二极管的电学特性优劣的主要参数有正向导通电压、反向漏电流密度及击穿电压。 肖特基二极管的正向特性和阻断特性 1.肖特基势垒二极管的正向导通特性 对于Si，Ge，GaAs，SiC这些材料，都有较高的载流子迁移率，也就有较大的平均自由程，因而在室温下，这些半导体材料的肖特基势垒中的电流输入机制
2026-06-15 10
整流桥的应用
整流桥可将交流发动机产生的交流电转变为直流电，以实现向用电设备供电和向蓄电池进行充电。限制蓄电池电流倒转回发动机，保护交流发动机不被烧坏。 整流桥一般带有足够大的电感性负载，因此整流桥不出现电流断续。如右图所示，整流桥由控制器的控制角控制,当控制角为0°～90°时，整流桥处于整流状态,输出电压的平均值为正;当控制角为90°～180°-γ时(γ为换弧角)，整流桥处于逆变状态，输出电
2026-06-15 11
碳化硅（SiC）是什么？
碳化硅（SiC）是一种相对较新的半导体材料。让我们首先了解它的物理特性和特点。 **SiC的物理特性和特点** SiC是由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料。它具有强大的结合性质，在热、化学和机械方面非常稳定。SiC存在各种多型体，每种多型体的物理特性都不同。其中，4H-SiC多型体最适合功率器件。下表比较了Si和近年来常听到的其他半导体材料
2026-06-15 17
SiC-SBD的特征是什么与Si二极管相比有什么不同
SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管 我们先从SiC肖特基势垒二极管（以下简称为"SBD"）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。这种结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征是具备高速特性。 SiC-SBD的特点是不仅具有优异的高速性，同时实现了高耐压。提高Si-SB
2026-06-15 10
碳化硅MOS管（SiC-MOSFET）的特征
下图通过与Si功率元器件的比较，来说明SiC-MOSFET的耐压范围。 目前SiC-MOSFET的应用范围通常是耐压在600V以上，尤其是1kV以上。下面将1kV以上的SiC-MOSFET与当前主流的Si-IGBT进行比较，看看它的优势。相对于IGBT，SiC-MOSFET在开关关断时降低了损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。与同等耐压的SJ-MOSFET（超级结MOSF
2026-06-15 12
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