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场效应半导体

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公司介绍

广东场效应半导体有限公司汇集了一支拥有近30年经验的精英团队，倾力打造独具匠心的 Cmos 品牌，专注于MOS管的研发、设计、生产和销售，具备自主独立创新的芯片设计能力和掩膜版专利技术，产品已经覆盖汽车电子、消费电子、工业控制、通讯设备、医疗器械等诸多领域，力争响应全球电子信息产业高速发展的需求，致力为中国和世界的安全、智能提供可靠的半导体集成器件。 官网链接：https://www.cmosfet.com/

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CMD1402

MOS管，TO-252，N沟道，耐压：20V，电流：50A，4.5V内阻（Max)：0.0055Ω，功率：55W，CISS(Typ)：2250PF
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CMD1402D

MOS管，TO-252，N沟道，耐压：20V，电流：50A，10V内阻（Max)：0.0065Ω，4.5V内阻（Max)：0.0065Ω，功率：40W，CISS(Typ)：1900PF
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CMD1402B

MOS管，TO-252，N沟道，耐压：20V，电流：50A，10V内阻（Max)：0.0062Ω，4.5V内阻（Max)：0.0075Ω，功率：55W，CISS(Typ)：2000PF
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CMD1402T

MOS管，TO-252，N沟道，耐压：15V，电流：70A，10V内阻（Max)：0.007Ω，4.5V内阻（Max)：0.007Ω，功率：55W，CISS(Typ)：1500PF
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CMD5941

MOS管，TO-252，P沟道，耐压：-100V，电流：-25A，10V内阻（Max)：0.125Ω，4.5V内阻（Max)：0.09Ω，功率：50W，CISS(Typ)：2800PF
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CMN3621M

MOS管，SOT-23-3L，P沟道，耐压：-30V，电流：-7A，10V内阻（Max)：0.029Ω，4.5V内阻（Max)：0.045Ω，功率：1.5W，CISS(Typ)：950PF
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CMD5951

MOS管，TO-252，P沟道，耐压：-100V，电流：-30A，10V内阻（Max)：0.065Ω，4.5V内阻（Max)：0.07Ω，功率：120W，CISS(Typ)：5500PF
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CMD1402
MOS管，TO-252，N沟道，耐压：20V，电流：50A，4.5V内阻（Max)：0.0055Ω，功率：55W，CISS(Typ)：2250PF
0.523 立即购买
CMD1402D
MOS管，TO-252，N沟道，耐压：20V，电流：50A，10V内阻（Max)：0.0065Ω，4.5V内阻（Max)：0.0065Ω，功率：40W，CISS(Typ)：1900PF
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CMD1402B
MOS管，TO-252，N沟道，耐压：20V，电流：50A，10V内阻（Max)：0.0062Ω，4.5V内阻（Max)：0.0075Ω，功率：55W，CISS(Typ)：2000PF
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CMD1402T
MOS管，TO-252，N沟道，耐压：15V，电流：70A，10V内阻（Max)：0.007Ω，4.5V内阻（Max)：0.007Ω，功率：55W，CISS(Typ)：1500PF
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CMD5941
MOS管，TO-252，P沟道，耐压：-100V，电流：-25A，10V内阻（Max)：0.125Ω，4.5V内阻（Max)：0.09Ω，功率：50W，CISS(Typ)：2800PF
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CMN3621M
MOS管，SOT-23-3L，P沟道，耐压：-30V，电流：-7A，10V内阻（Max)：0.029Ω，4.5V内阻（Max)：0.045Ω，功率：1.5W，CISS(Typ)：950PF
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CMD5951
MOS管，TO-252，P沟道，耐压：-100V，电流：-30A，10V内阻（Max)：0.065Ω，4.5V内阻（Max)：0.07Ω，功率：120W，CISS(Typ)：5500PF
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CMD35N06B
MOS管，TO - 252，N沟道，耐压：60V，电流：30A，10V内阻（Max)：0.036Ω，4.5V内阻（Max)：0.042Ω，功率：40W，CISS(Typ)：670PF
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CMN3100M
MOS管，SOT-23-3L，N沟道，耐压：30V，电流：10A，10V内阻（Max)：0.017Ω，4.5V内阻（Max)：0.025Ω，功率：1.4W，CISS(Typ)：800PF
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CMN5N20
MOS管，SOT-23-3L，N沟道，耐压：200V，电流：4A，10V内阻（Max)：0.59Ω，4.5V内阻（Max)：0.64Ω，功率：2W，CISS(Typ)：700PF
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CMN2308
MOS管，封装：SOT-23，N场沟道，耐压：60v，电流：6.5A，Rds10v内阻：0.065Ω，功率：1.25W，20Vgs（±）CISS(typ)：880PF；
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CMD65R280
COOLMOS，封装：TO-252，N场沟道，耐压：650v，电流：14A，Rds10v内阻：0.28Ω，功率：105W，30Vgs（±）CISS(typ)：1050PF；
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MBR60300WT
肖特基二极管，共阴，封装：TO-247，耐压：300v，电流：60A；
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CMN3401ZMS
COOLMOS，封装：SOT-23，P场沟道，耐压：-30v，电流：-3A，Rds10v内阻：0.11Ω，功率：1.5W，12Vgs（±）CISS(typ)：420PF；
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CMD2300
COOLMOS，封装：TO-252，N场沟道，耐压：20v，电流：30A，Rds4.5v内阻：0.023Ω，功率：40W，10Vgs（±）CISS(typ)：400PF；
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