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场效应半导体

会员年限1年 已认证
经营品类 ：功率器件，二极管，晶体管及晶闸管，其它
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公司介绍

广东场效应半导体有限公司汇集了一支拥有近30年经验的精英团队，倾力打造独具匠心的 Cmos 品牌，专注于MOS管的研发、设计、生产和销售，具备自主独立创新的芯片设计能力和掩膜版专利技术，产品已经覆盖汽车电子、消费电子、工业控制、通讯设备、医疗器械等诸多领域，力争响应全球电子信息产业高速发展的需求，致力为中国和世界的安全、智能提供可靠的半导体集成器件。 官网链接：https://www.cmosfet.com/

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功率器件
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晶体管及晶闸管
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CMN2333M

MOS管，封装：SOT-23，P场沟道，耐压：-16v，电流：-4A，Rds10v内阻：Ω，功率：1.2W，10Vgs（±）CISS(typ)：2100PF；
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CMN2305A

MOS管，封装：SOT-23，P场沟道，耐压：-20v，电流：-4A，Rds10v内阻：0.11Ω，功率：1.2W，16Vgs（±）CISS(typ)：150PF；
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CMN2305AM

MOS管，SOT-23-3L，P沟道，耐压：-20V，电流：-4.5A，10V内阻（Max)：0.042Ω，4.5V内阻（Max)：0.06Ω，功率：1.2W，CISS(Typ)：1100PF
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CML10N06

MOS管，封装：SOT-223，N场沟道，耐压：60v，电流：10A，Rds10v内阻：0.042Ω，功率：8.5W，20Vgs（±）CISS(typ)：640PF；
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TK110U65-Cmos

COOLMOS，封装：TOLL-8，N场沟道，耐压：650v，电流：24A，Rds10v内阻：0.11Ω，功率：190W，30Vgs（±）CISS(typ)：2250PF；
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AOTL42A60-Cmos

COOLMOS，封装：TOLL-8，N场沟道，耐压：600v，电流：30A，Rds10v内阻：0.109Ω，功率：367W，Vgs（±）CISS(typ)：3850PF；
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IPT60R125-Cmos

COOLMOS，封装：TOLL-8，N场沟道，耐压：600v，电流：20A，Rds10v内阻：0.125Ω，功率：120W，Vgs（±）CISS(typ)：PF；
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MOS管，封装：SOT-23，P场沟道，耐压：-16v，电流：-4A，Rds10v内阻：Ω，功率：1.2W，10Vgs（±）CISS(typ)：2100PF；
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MOS管，封装：SOT-23，P场沟道，耐压：-20v，电流：-4A，Rds10v内阻：0.11Ω，功率：1.2W，16Vgs（±）CISS(typ)：150PF；
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CMN2305AM
MOS管，SOT-23-3L，P沟道，耐压：-20V，电流：-4.5A，10V内阻（Max)：0.042Ω，4.5V内阻（Max)：0.06Ω，功率：1.2W，CISS(Typ)：1100PF
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MOS管，封装：SOT-223，N场沟道，耐压：60v，电流：10A，Rds10v内阻：0.042Ω，功率：8.5W，20Vgs（±）CISS(typ)：640PF；
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TK110U65-Cmos
COOLMOS，封装：TOLL-8，N场沟道，耐压：650v，电流：24A，Rds10v内阻：0.11Ω，功率：190W，30Vgs（±）CISS(typ)：2250PF；
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AOTL42A60-Cmos
COOLMOS，封装：TOLL-8，N场沟道，耐压：600v，电流：30A，Rds10v内阻：0.109Ω，功率：367W，Vgs（±）CISS(typ)：3850PF；
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IPT60R125-Cmos
COOLMOS，封装：TOLL-8，N场沟道，耐压：600v，电流：20A，Rds10v内阻：0.125Ω，功率：120W，Vgs（±）CISS(typ)：PF；
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IPT65R105-Cmos
COOLMOS，封装：TOLL-8，N场沟道，耐压：650v，电流：24A，Rds10v内阻：0.105Ω，功率：156W，Vgs（±）CISS(typ)：1670PF；
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